扩散炉的说明

扩散炉用于扩散, 氧化, 退火, 合金和烧结过程的 LSI, 分立器件, 电力电子, 光电器件和光纤。扩散过程的主要目的是在高温下掺杂半导体晶片, 并将元素磷和硼扩散到硅片中, 从而改变和控制杂质的种类、浓度和分布，扩散炉的说明，半导体为了建立不同的电子特征区域。
最新的低压磷扩散利用低气压环境, 以获得更好的块阻力均匀性和更大的产量, 同时最大限度地减少了环境污染的影响。
氧化过程是使晶片表面在高温和氧化剂的作用下, 生长一层二氧化硅膜。
氧化方法有干湿氧, 湿氧包括水蒸气氧化和氢氧合成两种。
扩散炉有两种类型的垂直扩散炉 (垂直) 和水平扩散炉 (水平)。
扩散炉的说明
立式扩散炉
垂直扩散炉是一种垂直于水平水平的石英船, 更有利于硅片的机械手传动, 在胶片中的工艺参数的一致性较好。
水平扩散炉是一种与水平面平行的石英舟, 一罐4或4以上的工艺炉管, 平均炉管占地面积较小, 工艺参数之间的薄膜比垂直扩散炉好。